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《 固体电子学基础 》(实验)教学大纲
2016-04-27 16:30   审核人:

固体电子学基础 》(实验)教学大纲

课程代码:2109030080

课程名称:固体电子学基础

FUNDAMENTALS of Solid State Electronics

    分:3.5

时:56    (其中:理论学时:48            实验学时:

先修课程:2109040061普通物理(一)、2109040062普通物理(二)

适用对象:本二光电信息及新能源等专业

 

一、实验课性质和任务

性质:非独立设课。

任务:通过实验,使学生加深对半导体物理理论的理解,掌握基本的半导体测量技术和原理,接受测试半导体物理性质和参数的基本训练,熟悉各有关实验设备的使用方法;培养学生实际动手能力、独立分析和解决实际问题的能力,为毕业后从事企业的一线工作打下基础。

二、实验项目名称和学时分配

序号

实验项目名称

实验学时

实验要求

实验

类型

每组

人数

1

学习实验原理及方法、熟悉仪器的使用要求

2

必修

 

 

2

硅单晶电阻率的测定

2

选修

综合

2

3

光电导衰退法测量硅单晶少子寿命

2

选修

综合

2

4

硅单晶导电型号测量

2

选修

综合

2

5

p-n结正向压降与温度关系的研究和应用

2

选修

综合

2

三、实验课基本要求、重点、难点

实验课基本要求:理解四探针法测量半导体电阻率的实验原理,理解和控制各种影响测量结果的不利因素;掌握便携式电阻率测试仪的操作规程和使用方法,会对实测电阻率进行温度修正。理解利用高频光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子寿命的实验原理,掌握LT-1高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法。理解利用温差法或整流法测量半导体材料导电型号的基本原理,掌握STY-3导电型号测试仪的操作步骤,会使用上述两种方法分别进行测试。理解p-n结正向压降随温度变化的基本原理;掌握QS-Jp-n结正向压降温度特性实验组合仪使用方法,能在恒流条件下测绘p-n结正向压降随温度变化曲线。

重点:四探针法测量半导体电阻率、光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子寿命。

难点:光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子寿命。

四、应配备的主要设备名称

便携式电阻率测试仪、LT-1高频光电导少数载流子寿命测试仪、STY-3导电型号测试仪、QS-Jp-n结正向压降温度特性实验组合仪。

五、教材及实验指导书

  材:《光伏基础实验讲义》,卢佃清等编著,自编讲义,2011年。

参考书:《半导体物理实验》,孙恒慧等编著,高等教育出版社,1985年第1版。

六、实验课考核方式

1.实验报告:学生做完实验后应及时撰写实验报告,并在完成实验后的一周之内提交实验报告。实验报告主要包括以下部分:实验目的、实验原理、实验仪器、实验内容与步骤、实验数据处理及分析以及对实验的改进意见等。

2.考核方式:学生除必修2学时的实验原理,熟悉各仪器的使用方法外,还必须从前面所述的四个实验项目中任选二个,按要求独立完成实验,撰写实验报告。教师根据学生在实验过程中的态度、实验操作技能、实验效果及实验报告质量综合评定成绩,给出具体分数。两次实验成绩计入平时成绩。若实验成绩少于两个,则期末不予考试,本课程不予通过。

 

 

执笔人:卢佃清

  :王惠明

 

 

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